Αριθμός εξαρτήματος :
TSM900N06CH X0G
Κατασκευαστής :
Taiwan Semiconductor Corporation
Περιγραφή :
MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO251
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
60V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
11A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
90 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
9.3nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
500pF @ 15V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
25W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
TO-251 (IPAK)
Πακέτο / Θήκη :
TO-251-3 Stub Leads, IPak