Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-GT50TP120N

KEY Part #: K6533285

VS-GT50TP120N Τιμολόγηση (USD) [1278τεμ]

  • 1 pcs$33.87746
  • 24 pcs$32.26421

Αριθμός εξαρτήματος:
VS-GT50TP120N
Κατασκευαστής:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Λεπτομερής περιγραφή:
IGBT 1200V 100A 405W INT-A-PAK.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Τρανζίστορ - JFET, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Δίοδοι - RF, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays and Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GT50TP120N. Το VS-GT50TP120N μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το VS-GT50TP120N, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-GT50TP120N Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : VS-GT50TP120N
Κατασκευαστής : Vishay Semiconductor Diodes Division
Περιγραφή : IGBT 1200V 100A 405W INT-A-PAK
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος IGBT : Trench
Διαμόρφωση : Half Bridge
Τάση - Κατανομή πομπού συλλέκτη (Max) : 1200V
Ρεύμα - συλλέκτης (Ic) (μέγιστο) : 100A
Ισχύς - Μέγ : 405W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.35V @ 15V, 50A
Τρέχουσα - Αποκοπή συλλέκτη (Max) : 5mA
Χωρητικότητα εισόδου (Cies) @ Vce : 6.24nF @ 30V
Εισαγωγή : Standard
NTC Thermistor : No
Θερμοκρασία λειτουργίας : 175°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Chassis Mount
Πακέτο / Θήκη : INT-A-PAK (3 + 4)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : INT-A-PAK

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • VS-ETL015Y120H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 22A 89W EMIPAK-2B. Rectifiers 15A Dbl Interleaved Boost Converter

  • VS-ETF150Y65U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • VS-ETF075Y60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 109A 294W EMIPAK-2B.

  • APT85GR120JD60

    Microsemi Corporation

    IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP.

  • APTGT100DU60TG

    Microsemi Corporation

    POWER MOD IGBT TRENCH DL SRC SP4.

  • MG06400D-BN4MM

    Littelfuse Inc.

    IGBT 600V 500A 1250W PKG D.