Αριθμός εξαρτήματος :
PHD18NQ10T,118
Κατασκευαστής :
NXP USA Inc.
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
Κατάσταση εξαρτήματος :
Obsolete
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
100V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
18A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
90 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
21nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
633pF @ 25V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
79W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
DPAK
Πακέτο / Θήκη :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63