Taiwan Semiconductor Corporation - S1BLHMTG

KEY Part #: K6437452

S1BLHMTG Τιμολόγηση (USD) [2466931τεμ]

  • 1 pcs$0.01499

Αριθμός εξαρτήματος:
S1BLHMTG
Κατασκευαστής:
Taiwan Semiconductor Corporation
Λεπτομερής περιγραφή:
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορες - TRIAC, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Μονάδες οδηγού ισχύος and Θυρίστορ - SCRs ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Taiwan Semiconductor Corporation S1BLHMTG. Το S1BLHMTG μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το S1BLHMTG, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S1BLHMTG Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : S1BLHMTG
Κατασκευαστής : Taiwan Semiconductor Corporation
Περιγραφή : DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
Σειρά : Automotive, AEC-Q101
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος διόδου : Standard
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 100V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 1A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 1.1V @ 1A
Ταχύτητα : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : 1.8µs
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 5µA @ 100V
Χωρητικότητα @ Vr, F : 9pF @ 4V, 1MHz
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : DO-219AB
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : Sub SMA
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -55°C ~ 175°C

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • MSC010SDA070K

    Microsemi Corporation

    DIODE SCHOTTKY 700V 10A TO220-3. Schottky Diodes & Rectifiers 700 V, 10 A SiC SBD

  • GL34G/1

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.

  • VB30120S-E3/8W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 120V 30A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30 Amp 120 Volt Single TrenchMOS

  • NSB8AT-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB. Rectifiers 50 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM

  • NSB8JT-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers 600 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM

  • NSB8KT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB. Rectifiers 800 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM