GeneSiC Semiconductor - 1N1199A

KEY Part #: K6425168

1N1199A Τιμολόγηση (USD) [22785τεμ]

  • 1 pcs$1.80876
  • 200 pcs$1.29343

Αριθμός εξαρτήματος:
1N1199A
Κατασκευαστής:
GeneSiC Semiconductor
Λεπτομερής περιγραφή:
DIODE GEN PURP 50V 12A DO4. Rectifiers 50V 12A Std. Recovery
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - JFET, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF and Θυρίστορ - SCRs ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα GeneSiC Semiconductor 1N1199A. Το 1N1199A μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το 1N1199A, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N1199A Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : 1N1199A
Κατασκευαστής : GeneSiC Semiconductor
Περιγραφή : DIODE GEN PURP 50V 12A DO4
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος διόδου : Standard
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 50V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 12A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 1.1V @ 12A
Ταχύτητα : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : -
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 10µA @ 50V
Χωρητικότητα @ Vr, F : -
Τύπος συναρμολόγησης : Chassis, Stud Mount
Πακέτο / Θήκη : DO-203AA, DO-4, Stud
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : DO-4
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -65°C ~ 200°C
Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • BAS40E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers 40V 0.12A

  • QH08BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 8A, Rectifier

  • LXA04B600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 4A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 4A Low Qrr

  • SMMDL914T1G

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching SS SWCH DIO 100V

  • NTS245SFT3G

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 45V 2A SOD123FL. Schottky Diodes & Rectifiers 2A 45V LOW VF TRENCH REC

  • SMMSD4148T3G

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching SS SWCH DIO 100V