1N4448HWS-7-F Τιμολόγηση (USD) [2240034τεμ]
- 1 pcs$0.01659
- 3,000 pcs$0.01651
- 6,000 pcs$0.01436
- 15,000 pcs$0.01221
- 30,000 pcs$0.01149
- 75,000 pcs$0.01077
- 150,000 pcs$0.00933
- Αριθμός εξαρτήματος:
- 1N4448HWS-7-F
- Κατασκευαστής:
- Diodes Incorporated
- Λεπτομερής περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Vr/90V Io/250mA T/R
- Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
- Σε απόθεμα
- Διάρκεια ζωής:
- Ενας χρόνος
- Chip Από:
- Χονγκ Κονγκ
- RoHS:
- Μέθοδος πληρωμής:
-
- Τρόπος αποστολής:
- Κατηγορίες Οικογένειας:
- KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Θυρίστορ - SCRs, Θυρίστορες - TRIAC and Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ ...
- Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
- Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Diodes Incorporated 1N4448HWS-7-F. Το 1N4448HWS-7-F μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το 1N4448HWS-7-F, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
1N4448HWS-7-F Χαρακτηριστικά προϊόντος
Αριθμός εξαρτήματος :
1N4448HWS-7-F
Κατασκευαστής :
Diodes Incorporated
Περιγραφή :
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323
Σειρά :
-
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τύπος διόδου :
Standard
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) :
80V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) :
250mA
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν :
1.25V @ 150mA
Ταχύτητα :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) :
4ns
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr :
100nA @ 80V
Χωρητικότητα @ Vr, F :
3.5pF @ 0V, 1MHz
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη :
SC-76, SOD-323
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
SOD-323
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση :
-65°C ~ 150°C
Τελευταία νέα
Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
-
CSD01060E
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 600V 1A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers 1A 600V SIC SCHOTTKY DIODE
-
RURD660S9A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V
-
BAS116E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
C3D10060G
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO263-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 10A
-
VS-50WQ06FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A TO252AA. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3
-
VS-30WQ06FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 3.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3
Hot Parts
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18