ON Semiconductor - FQPF19N20CYDTU

KEY Part #: K6406318

[8654τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    FQPF19N20CYDTU
    Κατασκευαστής:
    ON Semiconductor
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH 200V 19A TO-220F.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Τρανζίστορ - JFET, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Θυρίστορ - SCRs, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες and Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα ON Semiconductor FQPF19N20CYDTU. Το FQPF19N20CYDTU μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το FQPF19N20CYDTU, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FQPF19N20CYDTU Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : FQPF19N20CYDTU
    Κατασκευαστής : ON Semiconductor
    Περιγραφή : MOSFET N-CH 200V 19A TO-220F
    Σειρά : QFET®
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 200V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 19A (Tc)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 170 mOhm @ 9.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 53nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±30V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 1080pF @ 25V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 43W (Tc)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-220F-3 (Y-Forming)
    Πακέτο / Θήκη : TO-220-3 Full Pack, Formed Leads

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • AUIRLR3705Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

    • AUIRLR3410

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 17A DPAK.

    • AUIRLR2905Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

    • AUIRLR2703

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 20A DPAK.

    • AUIRLR2905

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

    • AUIRFR6215

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 150V 13A DPAK.