Vishay Siliconix - SI7172ADP-T1-RE3

KEY Part #: K6420141

SI7172ADP-T1-RE3 Τιμολόγηση (USD) [164336τεμ]

  • 1 pcs$0.22507

Αριθμός εξαρτήματος:
SI7172ADP-T1-RE3
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CHAN 200V POWERPAK SO-8.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Θυρίστορες - TRIAC, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Θυρίστορ - SCRs and Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Siliconix SI7172ADP-T1-RE3. Το SI7172ADP-T1-RE3 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SI7172ADP-T1-RE3, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7172ADP-T1-RE3 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : SI7172ADP-T1-RE3
Κατασκευαστής : Vishay Siliconix
Περιγραφή : MOSFET N-CHAN 200V POWERPAK SO-8
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 200V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.1V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 19.5nC @ 10V
Vgs (Max) : -
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 1110pF @ 100V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : -
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 125°C
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PowerPAK® SO-8
Πακέτο / Θήκη : PowerPAK® SO-8

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει