Diodes Incorporated - DMN3033LSN-7

KEY Part #: K6418672

DMN3033LSN-7 Τιμολόγηση (USD) [525016τεμ]

  • 1 pcs$0.07045
  • 3,000 pcs$0.05745

Αριθμός εξαρτήματος:
DMN3033LSN-7
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Θυρίστορ - SCRs, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος and Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Diodes Incorporated DMN3033LSN-7. Το DMN3033LSN-7 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το DMN3033LSN-7, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN3033LSN-7 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : DMN3033LSN-7
Κατασκευαστής : Diodes Incorporated
Περιγραφή : MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 30V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 6A (Ta)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 10.5nC @ 5V
Vgs (Max) : ±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 755pF @ 10V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 1.4W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : SC-59-3
Πακέτο / Θήκη : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • FDD8896

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.

  • IXTY24N15T

    IXYS

    MOSFET N-CH 150V 24A TO-252.

  • IXTY15N20T

    IXYS

    MOSFET N-CH 200V 15A TO-252.

  • TK7A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-220SIS.

  • IPA65R380C6XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220.

  • IRFIB41N15DPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 41A TO220FP.