Αριθμός εξαρτήματος :
GSID150A120S3B1
Κατασκευαστής :
Global Power Technologies Group
Περιγραφή :
SILICON IGBT MODULES
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Διαμόρφωση :
2 Independent
Τάση - Κατανομή πομπού συλλέκτη (Max) :
1200V
Ρεύμα - συλλέκτης (Ic) (μέγιστο) :
300A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic :
2V @ 15V, 150A
Τρέχουσα - Αποκοπή συλλέκτη (Max) :
1mA
Χωρητικότητα εισόδου (Cies) @ Vce :
14nF @ 25V
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-40°C ~ 150°C
Τύπος συναρμολόγησης :
Chassis Mount
Πακέτο / Θήκη :
D-3 Module
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
D3