Vishay Semiconductor Diodes Division - MBRB745HE3/45

KEY Part #: K6446655

[1692τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    MBRB745HE3/45
    Κατασκευαστής:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Λεπτομερής περιγραφή:
    DIODE SCHOTTKY 45V 7.5A TO263AB.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Θυρίστορες - TRIAC, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες and Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Semiconductor Diodes Division MBRB745HE3/45. Το MBRB745HE3/45 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το MBRB745HE3/45, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    MBRB745HE3/45 Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : MBRB745HE3/45
    Κατασκευαστής : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Περιγραφή : DIODE SCHOTTKY 45V 7.5A TO263AB
    Σειρά : -
    Κατάσταση εξαρτήματος : Discontinued at Digi-Key
    Τύπος διόδου : Schottky
    Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 45V
    Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 7.5A
    Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 840mV @ 15A
    Ταχύτητα : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : -
    Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 100µA @ 45V
    Χωρητικότητα @ Vr, F : -
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο / Θήκη : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-263AB
    Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -65°C ~ 150°C

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • IDB18E120ATMA1

      Infineon Technologies

      DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3.

    • VS-50WQ10FNPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 100V 5.5A DPAK.

    • VS-50WQ04FNPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 40V 5.5A DPAK.

    • VS-30CPF02PBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 200V 30A TO247AC.

    • VS-80EPF02PBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 200V 80A TO247AC.

    • VS-80EPF04PBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 80A TO247AC.