IXYS - IXFT20N100P

KEY Part #: K6394813

IXFT20N100P Τιμολόγηση (USD) [10137τεμ]

  • 1 pcs$4.69862
  • 30 pcs$4.67524

Αριθμός εξαρτήματος:
IXFT20N100P
Κατασκευαστής:
IXYS
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 1000V 20A TO-268.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Τρανζίστορ - JFET and Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα IXYS IXFT20N100P. Το IXFT20N100P μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IXFT20N100P, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFT20N100P Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : IXFT20N100P
Κατασκευαστής : IXYS
Περιγραφή : MOSFET N-CH 1000V 20A TO-268
Σειρά : HiPerFET™, PolarP2™
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 1000V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 20A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 570 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 1mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 126nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 7300pF @ 25V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 660W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-268
Πακέτο / Θήκη : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA