Diodes Incorporated - 1N4448HWT-7

KEY Part #: K6438471

1N4448HWT-7 Τιμολόγηση (USD) [1631281τεμ]

  • 1 pcs$0.02413
  • 3,000 pcs$0.02401
  • 6,000 pcs$0.02088
  • 15,000 pcs$0.01775
  • 30,000 pcs$0.01671
  • 75,000 pcs$0.01566

Αριθμός εξαρτήματος:
1N4448HWT-7
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
Λεπτομερής περιγραφή:
DIODE GEN PURP 80V 125MA SOD523. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Vrm 80 Vrrm 57v Rms 250mA IFM
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Μονάδες οδηγού ισχύος, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays and Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Diodes Incorporated 1N4448HWT-7. Το 1N4448HWT-7 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το 1N4448HWT-7, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N4448HWT-7 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : 1N4448HWT-7
Κατασκευαστής : Diodes Incorporated
Περιγραφή : DIODE GEN PURP 80V 125MA SOD523
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος διόδου : Standard
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 80V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 125mA
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 1V @ 100mA
Ταχύτητα : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : 4ns
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 100nA @ 80V
Χωρητικότητα @ Vr, F : 3pF @ 0.5V, 1MHz
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : SC-79, SOD-523
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : SOD-523
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -65°C ~ 150°C

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • BYT79B-600PJ

    WeEn Semiconductors

    DIODE GEN PURP 600V 15A D2PAK. Rectifiers BYT79B-600PJ/TO263/REEL 13\" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

  • 1N914B A0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, 100V 0.15A Swtch Diode/Array

  • BAV21 A0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 250V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, -V 0.2A Swtch Diode/Array

  • C5D10170H

    Cree/Wolfspeed

    10A 1700V G5 ZREC SIC SCHOTTKY. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1700V, 10A

  • SMMBD330T1G

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SC70. Schottky Diodes & Rectifiers SS SHKY DIO 30V TR

  • NSVBAS16WT3G

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 100V 200MA SC70. Diodes - General Purpose, Power, Switching SS SC70 SWCH DIO 75V TR