Infineon Technologies - IRF8252TRPBF-1

KEY Part #: K6401867

[2902τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    IRF8252TRPBF-1
    Κατασκευαστής:
    Infineon Technologies
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH 25V 25A.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορες - TRIAC, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Μονάδες οδηγού ισχύος and Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies IRF8252TRPBF-1. Το IRF8252TRPBF-1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IRF8252TRPBF-1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRF8252TRPBF-1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : IRF8252TRPBF-1
    Κατασκευαστής : Infineon Technologies
    Περιγραφή : MOSFET N-CH 25V 25A
    Σειρά : HEXFET®
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 25V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 25A (Ta)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.7 mOhm @ 25A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 100µA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 53nC @ 4.5V
    Vgs (Max) : ±20V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 5305pF @ 13V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 2.5W (Ta)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : 8-SO
    Πακέτο / Θήκη : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • IRFI4228PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 150V 34A TO-220AB FP.

    • IRFI1010NPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 49A TO220FP.

    • SSM3J304T(TE85L,F)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM.

    • SSM3J306T(TE85L,F)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM.

    • PMN70XPEAX

      Nexperia USA Inc.

      MOSFET P-CH 20V 3.2A 6TSOP.

    • PMN27XPEAX

      Nexperia USA Inc.

      MOSFET P-CH 20V 4.4A 6TSOP.