Αριθμός εξαρτήματος :
MSRTA20080(A)D
Κατασκευαστής :
GeneSiC Semiconductor
Περιγραφή :
DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Διαμόρφωση διόδου :
1 Pair Series Connection
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) :
800V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο) :
200A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν :
1.1V @ 200A
Ταχύτητα :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) :
-
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr :
10µA @ 800V
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση :
-55°C ~ 150°C
Τύπος συναρμολόγησης :
Chassis Mount
Πακέτο / Θήκη :
Three Tower
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
Three Tower