Αριθμός εξαρτήματος :
SIZ322DT-T1-GE3
Κατασκευαστής :
Vishay Siliconix
Περιγραφή :
MOSFET 2 N-CH 25V 30A 8-POWER33
Σειρά :
TrenchFET® Gen IV
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τύπος FET :
2 N-Channel (Dual)
FET χαρακτηριστικό :
Standard
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
25V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.35 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
20.1nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
950pF @ 12.5V
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη :
8-PowerWDFN
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
8-Power33 (3x3)