ON Semiconductor - FDV303N_NB9U008

KEY Part #: K6413118

[13210τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    FDV303N_NB9U008
    Κατασκευαστής:
    ON Semiconductor
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία and Θυρίστορ - SCR - Μονάδες ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα ON Semiconductor FDV303N_NB9U008. Το FDV303N_NB9U008 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το FDV303N_NB9U008, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDV303N_NB9U008 Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : FDV303N_NB9U008
    Κατασκευαστής : ON Semiconductor
    Περιγραφή : MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23
    Σειρά : -
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 25V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 680mA (Ta)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 2.7V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 450 mOhm @ 500mA, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 2.3nC @ 4.5V
    Vgs (Max) : 8V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 50pF @ 10V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 350mW (Ta)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : SOT-23
    Πακέτο / Θήκη : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • FDB8444TS

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK-5.

    • ZVN4210ASTOA

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3.

    • IRFR4105ZTRR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 30A DPAK.

    • IRFR3711ZTRR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 20V 93A DPAK.

    • IRFR4105ZTR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 30A DPAK.

    • IRFR3711ZTR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 20V 93A DPAK.