Toshiba Semiconductor and Storage - TK100E06N1,S1X

KEY Part #: K6397998

TK100E06N1,S1X Τιμολόγηση (USD) [37408τεμ]

  • 1 pcs$1.21192
  • 50 pcs$0.92676
  • 100 pcs$0.83407
  • 500 pcs$0.64871
  • 1,000 pcs$0.53750

Αριθμός εξαρτήματος:
TK100E06N1,S1X
Κατασκευαστής:
Toshiba Semiconductor and Storage
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N CH 60V 100A TO-220.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Δίοδοι - RF, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος and Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Toshiba Semiconductor and Storage TK100E06N1,S1X. Το TK100E06N1,S1X μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το TK100E06N1,S1X, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK100E06N1,S1X Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : TK100E06N1,S1X
Κατασκευαστής : Toshiba Semiconductor and Storage
Περιγραφή : MOSFET N CH 60V 100A TO-220
Σειρά : U-MOSVIII-H
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 60V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 100A (Ta)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.3 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 140nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 10500pF @ 30V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 255W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-220
Πακέτο / Θήκη : TO-220-3

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • 2N7008-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3.

  • IRFR6215PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 150V 13A DPAK.

  • TK7A60W5,S5VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V 7A TO-220SIS.

  • 2SK3892

    Panasonic Electronic Components

    MOSFET N-CH 200V 22A TO-220D.

  • IRFIZ48NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 40A TO220FP.

  • TK10A60E,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V TO220SIS.