GeneSiC Semiconductor - MURT10060R

KEY Part #: K6468512

Λεπτομερής περιγραφή:: DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER. Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V100A600P/424R

Κατηγορίες Οικογένειας:: KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Θυρίστορες - TRIAC, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF and Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF ...

Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:: Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα GeneSiC Semiconductor MURT10060R. Το MURT10060R μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το MURT10060R, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com

Αριθμός εξαρτήματος : MURT10060R

Κατασκευαστής : GeneSiC Semiconductor

Περιγραφή : DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER

Σειρά : -

Κατάσταση εξαρτήματος : Active

Διαμόρφωση διόδου : -

Τύπος διόδου : Standard, Reverse Polarity

Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 600V

Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο) : 100A (DC)

Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 1.7V @ 100A

Ταχύτητα : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : 75ns

Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 25µA @ 50V

Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -40°C ~ 175°C

Τύπος συναρμολόγησης : Chassis Mount

Πακέτο / Θήκη : Three Tower

Πακέτο συσκευής προμηθευτή : Three Tower

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει

LQA10N150C

Power Integrations

DIODE CC 150V 5A DUAL TO252. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect
MMBFJ211

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 20MA SOT23.
MMBF4416

ON Semiconductor

JFET N-CH 30V 15MA SOT23.
MMBF4416A

ON Semiconductor

JFET N-CH 35V 15MA SOT23.
2SK209-GR(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

JFET N-CH SOT23.
BF999E6327HTSA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH RF 20V 30MA SOT-23.