Αριθμός εξαρτήματος :
1N4154
Κατασκευαστής :
Microsemi Corporation
Περιγραφή :
DIODE GEN PURP 35V 200MA DO35
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) :
35V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) :
200mA
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν :
1V @ 30mA
Ταχύτητα :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) :
2ns
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr :
100nA @ 25V
Χωρητικότητα @ Vr, F :
4pF @ 4V, 1MHz
Τύπος συναρμολόγησης :
Through Hole
Πακέτο / Θήκη :
DO-204AH, DO-35, Axial
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
DO-35
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση :
-65°C ~ 150°C