Vishay Siliconix - SI5922DU-T1-GE3

KEY Part #: K6523103

SI5922DU-T1-GE3 Τιμολόγηση (USD) [466812τεμ]

  • 1 pcs$0.07963
  • 3,000 pcs$0.07923

Αριθμός εξαρτήματος:
SI5922DU-T1-GE3
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET 2 N-CH 30V 6A POWERPAK.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Δίοδοι - RF, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Θυρίστορ - SCRs, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός and Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Siliconix SI5922DU-T1-GE3. Το SI5922DU-T1-GE3 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SI5922DU-T1-GE3, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI5922DU-T1-GE3 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : SI5922DU-T1-GE3
Κατασκευαστής : Vishay Siliconix
Περιγραφή : MOSFET 2 N-CH 30V 6A POWERPAK
Σειρά : TrenchFET®
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : 2 N-Channel (Dual)
FET χαρακτηριστικό : Standard
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 30V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 19.2 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 7.1nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 765pF @ 15V
Ισχύς - Μέγ : 10.4W
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : PowerPAK® ChipFET™ Dual
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PowerPAK® ChipFet Dual

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • DMC25D0UVT-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26.

  • FDY2000PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F.

  • BSL308CH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP.

  • ZXMN2AM832TA

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP.

  • IRF7501TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8.

  • SI7949DP-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8.