Vishay Semiconductor Diodes Division - RS3BHE3/57T

KEY Part #: K6446249

[1830τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    RS3BHE3/57T
    Κατασκευαστής:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Λεπτομερής περιγραφή:
    DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Θυρίστορ - SCRs, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto and Θυρίστορες - TRIAC ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Semiconductor Diodes Division RS3BHE3/57T. Το RS3BHE3/57T μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το RS3BHE3/57T, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RS3BHE3/57T Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : RS3BHE3/57T
    Κατασκευαστής : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Περιγραφή : DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
    Σειρά : -
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος διόδου : Standard
    Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 100V
    Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 3A
    Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 1.3V @ 2.5A
    Ταχύτητα : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : 150ns
    Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 10µA @ 100V
    Χωρητικότητα @ Vr, F : 44pF @ 4V, 1MHz
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο / Θήκη : DO-214AB, SMC
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : DO-214AB (SMC)
    Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -55°C ~ 150°C

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • VS-8EWF12STRLPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK.

    • VS-8EWF12STRRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK.

    • VT2080SHM3/4W

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 80V 20A TO220AB.

    • VS-20ATS08PBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 800V 20A TO220AB.

    • VSB1545-M3/73

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 45V 6A P600.

    • VSB15L45-M3/73

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 45V 7A P600.