Vishay Siliconix - SISA26DN-T1-GE3

KEY Part #: K6405216

SISA26DN-T1-GE3 Τιμολόγηση (USD) [276574τεμ]

  • 1 pcs$0.13373

Αριθμός εξαρτήματος:
SISA26DN-T1-GE3
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ and Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Siliconix SISA26DN-T1-GE3. Το SISA26DN-T1-GE3 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SISA26DN-T1-GE3, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SISA26DN-T1-GE3 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : SISA26DN-T1-GE3
Κατασκευαστής : Vishay Siliconix
Περιγραφή : MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212
Σειρά : TrenchFET® Gen IV
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 25V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 60A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.65 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 44nC @ 10V
Vgs (Max) : +16V, -12V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 2247pF @ 10V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 39W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Πακέτο / Θήκη : PowerPAK® 1212-8S

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • SQ3425EV-T1_GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET P-CHANNEL 20V 7.4A 6TSOP.

  • IRFR48ZTRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • SI1467DH-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET P-CH 20V 2.7A SC-70-6.

  • FDG312P

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 20V 1.2A SC70-6.

  • IRLMS6702TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP.

  • SSM3J352F,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    X34 SMALL LOW ON RESISTANCE PCH.