Αριθμός εξαρτήματος :
GSID150A120T2C1
Κατασκευαστής :
Global Power Technologies Group
Περιγραφή :
SILICON IGBT MODULES
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Διαμόρφωση :
Three Phase Inverter
Τάση - Κατανομή πομπού συλλέκτη (Max) :
1200V
Ρεύμα - συλλέκτης (Ic) (μέγιστο) :
285A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 150A
Τρέχουσα - Αποκοπή συλλέκτη (Max) :
1mA
Χωρητικότητα εισόδου (Cies) @ Vce :
21.2nF @ 25V
Εισαγωγή :
Three Phase Bridge Rectifier
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-40°C ~ 150°C
Τύπος συναρμολόγησης :
Chassis Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
Module