Αριθμός εξαρτήματος :
FQU9N25TU
Κατασκευαστής :
ON Semiconductor
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 250V 7.4A IPAK
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
250V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
7.4A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
420 mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
20nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
700pF @ 25V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
2.5W (Ta), 55W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
I-PAK
Πακέτο / Θήκη :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA