Αριθμός εξαρτήματος :
FDC8601
Κατασκευαστής :
ON Semiconductor
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 100V TRENCH SSOT-6
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
100V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
2.7A (Ta)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
109 mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
5nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
210pF @ 50V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
1.6W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
SuperSOT™-6
Πακέτο / Θήκη :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6