Αριθμός εξαρτήματος :
RGL41BHE3/97
Κατασκευαστής :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Περιγραφή :
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) :
100V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) :
1A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν :
1.3V @ 1A
Ταχύτητα :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) :
150ns
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr :
5µA @ 100V
Χωρητικότητα @ Vr, F :
15pF @ 4V, 1MHz
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη :
DO-213AB, MELF (Glass)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
DO-213AB
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση :
-65°C ~ 175°C