Vishay Semiconductor Diodes Division - EGP31F-E3/D

KEY Part #: K6440233

EGP31F-E3/D Τιμολόγηση (USD) [247410τεμ]

  • 1 pcs$0.14950

Αριθμός εξαρτήματος:
EGP31F-E3/D
Κατασκευαστής:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Λεπτομερής περιγραφή:
DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD. Rectifiers 3A,300V,50NS
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Θυρίστορ - SCRs, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays and Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Semiconductor Diodes Division EGP31F-E3/D. Το EGP31F-E3/D μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το EGP31F-E3/D, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EGP31F-E3/D Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : EGP31F-E3/D
Κατασκευαστής : Vishay Semiconductor Diodes Division
Περιγραφή : DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD
Σειρά : SUPERECTIFIER®
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος διόδου : Standard
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 300V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 3A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 1.25V @ 3A
Ταχύτητα : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : 50ns
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 3µA @ 300V
Χωρητικότητα @ Vr, F : 48pF @ 4V, 1MHz
Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
Πακέτο / Θήκη : DO-201AD, Axial
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : DO-201AD
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -65°C ~ 175°C

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • IDB30E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A

  • IDB30E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263.

  • BYM07-200/32

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213.

  • VS-HFA04TB60SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 4A D2PAK.

  • UH2DHE3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,200V,25ns, SMB Planar FER RECT, SMD

  • ES2AHM3/5BT

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,50V,20NS,UF Rect,SMD