Αριθμός εξαρτήματος :
SIS612EDNT-T1-GE3
Κατασκευαστής :
Vishay Siliconix
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 20V 50A SMT
Κατάσταση εξαρτήματος :
Obsolete
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
20V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
50A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.9 mOhm @ 14A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 1mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
70nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
2060pF @ 10V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Πακέτο / Θήκη :
PowerPAK® 1212-8S