Taiwan Semiconductor Corporation - ES1D R3G

KEY Part #: K6453091

ES1D R3G Τιμολόγηση (USD) [1039935τεμ]

  • 1 pcs$0.03557

Αριθμός εξαρτήματος:
ES1D R3G
Κατασκευαστής:
Taiwan Semiconductor Corporation
Λεπτομερής περιγραφή:
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC. Rectifiers 1A, 200V, SUPER FAST SM RECTIFIER
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος and Θυρίστορες - DIAC, SIDAC ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Taiwan Semiconductor Corporation ES1D R3G. Το ES1D R3G μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το ES1D R3G, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ES1D R3G Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : ES1D R3G
Κατασκευαστής : Taiwan Semiconductor Corporation
Περιγραφή : DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος διόδου : Standard
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 200V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 1A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 950mV @ 1A
Ταχύτητα : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : 35ns
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 5µA @ 200V
Χωρητικότητα @ Vr, F : 16pF @ 4V, 1MHz
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : DO-214AC, SMA
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : DO-214AC (SMA)
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -55°C ~ 150°C

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • C3D10065E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 650V 32A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 650V, 10A

  • VS-HFA08SD60S-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO252AA. Rectifiers 8A 600V Ultrafast 18ns HEXFRED

  • VS-50WQ10FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 5.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • VS-HFA04SD60STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 4A DPAK.

  • VS-10WQ045FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 10A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • VS-8EWF12S-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252. Rectifiers 8A 1200V Single Die