Αριθμός εξαρτήματος :
2SK3666-3-TB-E
Κατασκευαστής :
ON Semiconductor
Περιγραφή :
JFET N-CH 10MA 200MW 3CP
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τάση - Ανάλυση (V (BR) GSS) :
-
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
30V
Τρέχουσα - Αποστράγγιση (Idss) @ Vds (Vgs = 0) :
1.2mA @ 10V
Τρέχουσα αποχέτευση (Id) - Μέγ :
10mA
Τάση - διακοπή (VGS off) @ Id :
180mV @ 1µA
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
4pF @ 10V
Αντίσταση - RDS (On) :
200 Ohms
Θερμοκρασία λειτουργίας :
150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
3-CP