Rohm Semiconductor - SP8M51FRATB

KEY Part #: K6522017

SP8M51FRATB Τιμολόγηση (USD) [134137τεμ]

  • 1 pcs$0.27574

Αριθμός εξαρτήματος:
SP8M51FRATB
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
Λεπτομερής περιγραφή:
4V DRIVE NCHPCH MOSFET.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Θυρίστορες - TRIAC, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays and Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Rohm Semiconductor SP8M51FRATB. Το SP8M51FRATB μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SP8M51FRATB, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SP8M51FRATB Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : SP8M51FRATB
Κατασκευαστής : Rohm Semiconductor
Περιγραφή : 4V DRIVE NCHPCH MOSFET
Σειρά : Automotive, AEC-Q101
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N and P-Channel
FET χαρακτηριστικό : Standard
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 100V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 3A (Ta), 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 170 mOhm @ 3A, 10V, 290 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 8.5nC @ 5V, 12.5nC @ 5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 610pF @ 10V, 1550pF @ 25V
Ισχύς - Μέγ : 2W
Θερμοκρασία λειτουργίας : 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : 8-SOP