Microsemi Corporation - JAN1N4488C

KEY Part #: K6479765

JAN1N4488C Τιμολόγηση (USD) [5045τεμ]

  • 1 pcs$8.58652
  • 100 pcs$8.21320

Αριθμός εξαρτήματος:
JAN1N4488C
Κατασκευαστής:
Microsemi Corporation
Λεπτομερής περιγραφή:
DIODE ZENER 91V 1.5W D-5A. Zener Diodes Zener Diodes
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Μονάδες οδηγού ισχύος, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Θυρίστορες - TRIAC, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες and Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Microsemi Corporation JAN1N4488C. Το JAN1N4488C μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το JAN1N4488C, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N4488C Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : JAN1N4488C
Κατασκευαστής : Microsemi Corporation
Περιγραφή : DIODE ZENER 91V 1.5W D-5A
Σειρά : Military, MIL-PRF-19500/406
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τάση - Zener (Nom) (Vz) : 91V
Ανοχή : ±2%
Ισχύς - Μέγ : 1.5W
Αντίσταση (Max) (Zzt) : 200 Ohms
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 250nA @ 72.8V
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 1V @ 200mA
Θερμοκρασία λειτουργίας : -65°C ~ 175°C
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : SQ-MELF, A
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : D-5A

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • 1SS181,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR

  • BAV170E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode Array

  • BAV70E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 200mA

  • BAV70WH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIGITAL TRANSISTOR

  • BAV70WH6433XTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODES

  • GSD2004A-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ARRAY GP 240V 225MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 300 Volt 225mA Dual Common Anode