Αριθμός εξαρτήματος :
SISH110DN-T1-GE3
Κατασκευαστής :
Vishay Siliconix
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 20V PPAK 1212-8SH
Σειρά :
TrenchFET® Gen II
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
20V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
13.5A (Ta)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.3 mOhm @ 21.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
21nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
1.5W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
PowerPAK® 1212-8SH
Πακέτο / Θήκη :
PowerPAK® 1212-8SH