Vishay Semiconductor Diodes Division - EGF1CHE3/5CA

KEY Part #: K6446840

[1628τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    EGF1CHE3/5CA
    Κατασκευαστής:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Λεπτομερής περιγραφή:
    DIODE GEN PURP 150V 1A DO214BA.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Θυρίστορ - SCRs, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος and Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Semiconductor Diodes Division EGF1CHE3/5CA. Το EGF1CHE3/5CA μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το EGF1CHE3/5CA, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    EGF1CHE3/5CA Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : EGF1CHE3/5CA
    Κατασκευαστής : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Περιγραφή : DIODE GEN PURP 150V 1A DO214BA
    Σειρά : SUPERECTIFIER®
    Κατάσταση εξαρτήματος : Discontinued at Digi-Key
    Τύπος διόδου : Standard
    Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 150V
    Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 1A
    Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 1V @ 1A
    Ταχύτητα : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : 50ns
    Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 5µA @ 150V
    Χωρητικότητα @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο / Θήκη : DO-214BA
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : DO-214BA (GF1)
    Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -65°C ~ 175°C

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • SRP600J-E3/54

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 6A P600.

    • GPP60G-E3/73

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 6A P600.

    • GPP60B-E3/73

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 100V 6A P600.

    • BYM07-200HE3/83

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213.

    • SBLB1030HE3/81

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 30V 10A TO263AB.

    • SBLB10L25HE3/81

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 25V 10A TO263AB.