Αριθμός εξαρτήματος :
IPP086N10N3GHKSA1
Κατασκευαστής :
Infineon Technologies
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Κατάσταση εξαρτήματος :
Obsolete
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
100V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
80A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.6 mOhm @ 73A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 75µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
55nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
3980pF @ 50V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
125W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
PG-TO220-3