Vishay Semiconductor Diodes Division - RS1PGHM3/85A

KEY Part #: K6444098

[2565τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    RS1PGHM3/85A
    Κατασκευαστής:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Λεπτομερής περιγραφή:
    DIODE GEN PURP 400V 1A DO220AA.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορες - TRIAC, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Τρανζίστορ - JFET, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC and Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Semiconductor Diodes Division RS1PGHM3/85A. Το RS1PGHM3/85A μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το RS1PGHM3/85A, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RS1PGHM3/85A Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : RS1PGHM3/85A
    Κατασκευαστής : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Περιγραφή : DIODE GEN PURP 400V 1A DO220AA
    Σειρά : eSMP®
    Κατάσταση εξαρτήματος : Discontinued at Digi-Key
    Τύπος διόδου : Standard
    Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 400V
    Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 1A
    Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 1.3V @ 1A
    Ταχύτητα : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : 150ns
    Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 1µA @ 400V
    Χωρητικότητα @ Vr, F : 9pF @ 4V, 1MHz
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο / Θήκη : DO-220AA
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : DO-220AA (SMP)
    Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -55°C ~ 150°C

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • RJU60C2SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 600V 5A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast Recovery Diode 600V TO-252 IF=8A

    • RJU60C3SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 600V 10A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/30A/90ns Trr/TO-252

    • VS-50WQ06FNTRRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

    • VS-50WQ06FNTRLPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

    • VS-50WQ06FNTRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

    • VS-30WQ10FNTRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 100V 3.5A DPAK.