Toshiba Semiconductor and Storage - TK31N60W5,S1VF

KEY Part #: K6416511

TK31N60W5,S1VF Τιμολόγηση (USD) [14520τεμ]

  • 1 pcs$3.12016
  • 30 pcs$2.55900
  • 120 pcs$2.30934
  • 510 pcs$1.93484
  • 1,020 pcs$1.68518

Αριθμός εξαρτήματος:
TK31N60W5,S1VF
Κατασκευαστής:
Toshiba Semiconductor and Storage
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Θυρίστορες - TRIAC, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Τρανζίστορ - JFET and Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Toshiba Semiconductor and Storage TK31N60W5,S1VF. Το TK31N60W5,S1VF μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το TK31N60W5,S1VF, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK31N60W5,S1VF Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : TK31N60W5,S1VF
Κατασκευαστής : Toshiba Semiconductor and Storage
Περιγραφή : MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247
Σειρά : DTMOSIV
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 600V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 30.8A (Ta)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 99 mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1.5mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 105nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 3000pF @ 300V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 230W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-247
Πακέτο / Θήκη : TO-247-3

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • BS270

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 400MA TO-92.

  • FDD16AN08A0

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK.

  • IRFR3710ZTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 42A DPAK.

  • FDD6685

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 30V 11A DPAK.

  • TK35A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 35A TO-220.

  • IRFI4321PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 34A TO-220AB FP.