ON Semiconductor - MBRD835LG

KEY Part #: K6442366

MBRD835LG Τιμολόγηση (USD) [141698τεμ]

  • 1 pcs$0.28476
  • 10 pcs$0.25233
  • 100 pcs$0.19332
  • 500 pcs$0.15282
  • 1,000 pcs$0.12226

Αριθμός εξαρτήματος:
MBRD835LG
Κατασκευαστής:
ON Semiconductor
Λεπτομερής περιγραφή:
DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 8A 35V Low Vf
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Δίοδοι - RF, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία and Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα ON Semiconductor MBRD835LG. Το MBRD835LG μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το MBRD835LG, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBRD835LG Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : MBRD835LG
Κατασκευαστής : ON Semiconductor
Περιγραφή : DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK
Σειρά : SWITCHMODE™
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος διόδου : Schottky
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 35V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 8A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 510mV @ 8A
Ταχύτητα : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : -
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 1.4mA @ 35V
Χωρητικότητα @ Vr, F : -
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : DPAK
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -65°C ~ 150°C

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • RJU6052SDPD-E0#J2

    Renesas Electronics America

    DIODE GEN PURP 600V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/10A/25ns Trr/TO-252

  • RJU4352SDPD-E0#J2

    Renesas Electronics America

    DIODE GEN PURP 430V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 430V/20A/23ns Trr/TO-252

  • RJU3052SDPD-E0#J2

    Renesas Electronics America

    DIODE GEN PURP 360V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 360V/20A/40ns Trr/TO-252

  • UD0506T-TL-H

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 5A 600V LOW VF

  • RD0306T-TL-H

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 3A TPFA.

  • CMDD6001 BK

    Central Semiconductor Corp

    DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA