Αριθμός εξαρτήματος :
EGP30J
Κατασκευαστής :
ON Semiconductor
Περιγραφή :
DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) :
600V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) :
3A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν :
1.7V @ 3A
Ταχύτητα :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) :
75ns
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr :
5µA @ 600V
Χωρητικότητα @ Vr, F :
75pF @ 4V, 1MHz
Τύπος συναρμολόγησης :
Through Hole
Πακέτο / Θήκη :
DO-201AD, Axial
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
DO-201AD
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση :
-65°C ~ 150°C