EPC - EPC2101ENGRT

KEY Part #: K6523299

EPC2101ENGRT Τιμολόγηση (USD) [19588τεμ]

  • 1 pcs$2.32586
  • 500 pcs$2.31429

Αριθμός εξαρτήματος:
EPC2101ENGRT
Κατασκευαστής:
EPC
Λεπτομερής περιγραφή:
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Θυρίστορ - SCRs, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Μονάδες οδηγού ισχύος, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF and Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα EPC EPC2101ENGRT. Το EPC2101ENGRT μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το EPC2101ENGRT, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2101ENGRT Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : EPC2101ENGRT
Κατασκευαστής : EPC
Περιγραφή : GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Σειρά : eGaN®
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET χαρακτηριστικό : GaNFET (Gallium Nitride)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 60V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 9.5A, 38A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 2mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 2.7nC @ 5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 300pF @ 30V
Ισχύς - Μέγ : -
Θερμοκρασία λειτουργίας : -40°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : Die
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : Die
Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • SI1539DDL-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N/P-CH 30V SC70-6.

  • SM6K2T110

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT-457.

  • ZXMC3AMCTA

    Diodes Incorporated

    MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN.

  • AO8804L

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    MOSFET 2N-CH 20V.

  • SI4288DY-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO.

  • SH8K32TB1

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 60V 4.5A SOP8.