Αριθμός εξαρτήματος :
SI4114DY-T1-GE3
Κατασκευαστής :
Vishay Siliconix
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
20V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
20A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
95nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
3700pF @ 10V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
8-SO
Πακέτο / Θήκη :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)