Infineon Technologies - IPI80N06S407AKSA2

KEY Part #: K6418813

IPI80N06S407AKSA2 Τιμολόγηση (USD) [78700τεμ]

  • 1 pcs$0.49683
  • 500 pcs$0.41723

Αριθμός εξαρτήματος:
IPI80N06S407AKSA2
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Μονάδες οδηγού ισχύος, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Θυρίστορ - SCRs, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays and Θυρίστορες - TRIAC ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies IPI80N06S407AKSA2. Το IPI80N06S407AKSA2 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IPI80N06S407AKSA2, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPI80N06S407AKSA2 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : IPI80N06S407AKSA2
Κατασκευαστής : Infineon Technologies
Περιγραφή : MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
Σειρά : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 60V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 80A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.4 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 40µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 56nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 4500pF @ 25V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 79W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PG-TO262-3-1
Πακέτο / Θήκη : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • CPH6350-TL-W

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 30V 6A CPH6.

  • FQD2N100TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK.

  • IXTY3N60P

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 3A D-PAK.

  • TK100S04N1L,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

  • FQD11P06TM

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK.

  • IRFR5505TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 55V 18A DPAK.