Αριθμός εξαρτήματος :
FDD3680
Κατασκευαστής :
ON Semiconductor
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 100V 25A D-PAK
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
100V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
25A (Ta)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
46 mOhm @ 6.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
53nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
1735pF @ 50V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
68W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
TO-252
Πακέτο / Θήκη :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63