Αριθμός εξαρτήματος :
IXTT10P60
Περιγραφή :
MOSFET P-CH 600V 10A TO-268
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
600V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
10A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1 Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
160nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
4700pF @ 25V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
300W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
TO-268
Πακέτο / Θήκη :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA