IXYS - IXFN40N110P

KEY Part #: K6394543

IXFN40N110P Τιμολόγηση (USD) [2078τεμ]

  • 1 pcs$21.99060
  • 10 pcs$21.88120

Αριθμός εξαρτήματος:
IXFN40N110P
Κατασκευαστής:
IXYS
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 1100V 34A SOT-227B.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Τρανζίστορ - JFET, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Θυρίστορες - TRIAC, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος and Δίοδοι - RF ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα IXYS IXFN40N110P. Το IXFN40N110P μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IXFN40N110P, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN40N110P Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : IXFN40N110P
Κατασκευαστής : IXYS
Περιγραφή : MOSFET N-CH 1100V 34A SOT-227B
Σειρά : Polar™
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 1100V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 34A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 260 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 1mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 310nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 19000pF @ 25V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 890W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Chassis Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : SOT-227B
Πακέτο / Θήκη : SOT-227-4, miniBLOC