Infineon Technologies - 2LS20017E42W40403NOSA1

KEY Part #: K6532665

2LS20017E42W40403NOSA1 Τιμολόγηση (USD) [22τεμ]

  • 1 pcs$1548.16464

Αριθμός εξαρτήματος:
2LS20017E42W40403NOSA1
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή:
IGBT MODULE 1700V 20A.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Θυρίστορες - TRIAC, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Τρανζίστορ - JFET and Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies 2LS20017E42W40403NOSA1. Το 2LS20017E42W40403NOSA1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το 2LS20017E42W40403NOSA1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

2LS20017E42W40403NOSA1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : 2LS20017E42W40403NOSA1
Κατασκευαστής : Infineon Technologies
Περιγραφή : IGBT MODULE 1700V 20A
Σειρά : *
Κατάσταση εξαρτήματος : Not For New Designs
Τύπος IGBT : -
Διαμόρφωση : -
Τάση - Κατανομή πομπού συλλέκτη (Max) : -
Ρεύμα - συλλέκτης (Ic) (μέγιστο) : -
Ισχύς - Μέγ : -
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : -
Τρέχουσα - Αποκοπή συλλέκτη (Max) : -
Χωρητικότητα εισόδου (Cies) @ Vce : -
Εισαγωγή : -
NTC Thermistor : -
Θερμοκρασία λειτουργίας : -
Τύπος συναρμολόγησης : -
Πακέτο / Θήκη : -
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : -

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.