Αριθμός εξαρτήματος :
EPC2007C
Περιγραφή :
GANFET TRANS 100V 6A BUMPED DIE
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
GaNFET (Gallium Nitride)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
100V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
6A (Ta)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
30 mOhm @ 6A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1.2mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
2.2nC @ 5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
220pF @ 50V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
-
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
Die Outline (5-Solder Bar)