Αριθμός εξαρτήματος :
1N3595US
Κατασκευαστής :
Microsemi Corporation
Περιγραφή :
DIODE GEN PURP 4A B-MELF
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) :
-
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) :
4A (DC)
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν :
1V @ 200mA
Ταχύτητα :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) :
3µs
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr :
1nA @ 125V
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη :
SQ-MELF, B
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
B, SQ-MELF
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση :
-65°C ~ 150°C