Taiwan Semiconductor Corporation - UG06DHA1G

KEY Part #: K6430760

UG06DHA1G Τιμολόγηση (USD) [859966τεμ]

  • 1 pcs$0.04301

Αριθμός εξαρτήματος:
UG06DHA1G
Κατασκευαστής:
Taiwan Semiconductor Corporation
Λεπτομερής περιγραφή:
DIODE GEN PURP 200V 600MA TS-1.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος and Θυρίστορες - TRIAC ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Taiwan Semiconductor Corporation UG06DHA1G. Το UG06DHA1G μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το UG06DHA1G, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UG06DHA1G Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : UG06DHA1G
Κατασκευαστής : Taiwan Semiconductor Corporation
Περιγραφή : DIODE GEN PURP 200V 600MA TS-1
Σειρά : Automotive, AEC-Q101
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος διόδου : Standard
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 200V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 600mA
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 950mV @ 600mA
Ταχύτητα : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : 15ns
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 5µA @ 200V
Χωρητικότητα @ Vr, F : 9pF @ 4V, 1MHz
Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
Πακέτο / Θήκη : T-18, Axial
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TS-1
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -55°C ~ 150°C

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • SR10200-G

    Comchip Technology

    DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO220-3. Schottky Diodes & Rectifiers VR=200V, IO=10A

  • SR10150-G

    Comchip Technology

    DIODE SCHOTTKY 150V 10A ITO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers VR=150V, IO=10A

  • V10P45HM3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers TMBS TO-277A 10A AEC-Q101 Qualified

  • AS4PKHM3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 800V 2.4A TO277A. Rectifiers 4A,800V, SMPC,STD, Avalanche SM

  • VS-6ESU06-M3/87A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO277A. Rectifiers Ultrafst Rct 6A 600V

  • SS10P5-M3/86A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 50V 7A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 10 Amp 50 Volt 280 Amp IFSM